FlashDB 自 V2.0 后，大幅提升了数据库的性能（尤其是 GC）、稳定性和兼容性，新增了一些重要的功能，如：反向迭代器、数据库扩容、垃圾回收改进、完整性检查和64&128位写粒度支持，并修复了多个运行时错误和潜在的存储问题。
打磨了一年多时间后，今天正式发布了 V2.1.1 版本，该版本是个 BUG 修正版本，如有需要可以尽快升级。
自 V2.0 开始的更新日志如下：
1. KVDB（键值数据库）：
- 性能优化与错误修复：
- 修复运行时错误、警告和首次运行时的锁定问题
- 修复空指针解引用问题
- 改进缓存清理机制：在设置键值对为默认值之前清除缓存
- 改善垃圾回收（GC）算法，解决某些情况下的收集失败问题
- 支持128位写粒度、缓存性能优化，垃圾回收速度提升2倍
- 新增KVDB完整性检查API及数据库扩展功能
- 优化缓存算法：首次找到键时的缓存处理改进
- 添加部分GC功能以减少GC时间
- 修复写入失败问题和其他已知问题
2. TSDB（时间序列数据库）：
- 错误修复：
- 修复读取最后一个有效时间序列日志（TSL）的问题
- 修复在电源异常断电时的闪存覆盖问题
- 功能增强：
- 添加反向迭代器功能
- 改进TSDB测试用例
3. 通用改进：
- 错误修复：
- 修复错误代码返回不正确的问题
- 关闭文件流指针时使用
fclose()进行处理
- 功能增强：
- Zephyr系统：添加外部模块支持
- 改进对齐处理（FDB_ALIGN，FDB_ALIGN_DOWN）
- 闪存支持：
- 支持擦除后为0的闪存，如TC397芯片上的内部闪存
- 自动化与测试改进：
- 改进CI自动化测试、KVDB和TSDB的测试用例
- 优化扇区迭代功能，迭代顺序从最旧到最新
4. Demo支持更新：
- ESP32支持：
- 添加ESP32上的SPI闪存演示，支持IDF 5.x构建环境
- STM32支持：
- 添加STM32L4内部芯片的FAL闪存驱动
FlashDB 简介
FlashDB 是一款超轻量级的嵌入式数据库，专注于提供嵌入式产品的数据存储方案。与传统的基于文件系统的数据库不同，FlashDB 结合了 Flash 的特性，具有较强的性能及可靠性。并在保证极低的资源占用前提下，尽可能延长 Flash 使用寿命。 FlashDB 提供两种数据库模式： 键值数据库 和 时序数据库。
主要特性
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资源占用极低，内存占用几乎为 0 ;
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支持 多分区，多实例 。数据量大时，可细化分区，降低检索时间；
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支持 磨损平衡 ，延长 Flash 寿命；
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支持 掉电保护 功能，可靠性高；
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支持 字符串及 blob 两种 KV 类型，方便用户操作；
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支持 KV 增量升级 ，产品固件升级后， KVDB 内容也支持自动升级；
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支持 修改每条 TSDB 记录的状态，方便用户进行管理；